校友总会集成电路行业分会参加第26届集成电路制造年会暨供应链创新发展大会并举办行业校友论坛

2024年5月22-24日，第26届集成电路制造年会暨供应链创新发展大会(CICD)在广州黄埔区知识城国际会展中心开幕。大会同期，半导体行业生态建设暨复旦行业校友论坛在5月24日下午召开。复旦大学集成电路领域校友相聚广州，共同探讨集成电路制造业的发展趋势和挑战，分享最新的产业成果和创新理念。

本次论坛的主持人，复旦大学微电子学院院长、复旦大学校友总会集成电路行业分会执行会长张卫，首先代表复旦大学校友总会集成电路行业分会对中国半导体行业协会等主办单位给予会议的支持，以及各位来宾参与本次会议表示了诚挚的感谢。张卫介绍本次论坛的主题是“心聚复旦，芯火相传”，希望通过借此机会，汇聚复旦大学的校友智慧，共同推进集成电路制造事业的发展前进。

伴随着复旦大学校歌，半导体行业生态建设暨复旦行业校友论坛拉开了帷幕。校歌将来自五湖四海的复旦校友紧紧相连，他们怀揣着对母校的感恩之心，带着对集成电路产业的炽热情怀，汇聚成一股推动行业发展的强大动力。

大会伊始，中国集成电路创新联盟秘书长、复旦大学校友总会集成电路行业分会会长叶甜春首先发表了致辞。他表示，希望通过举办本次校友论坛，搭建产学研合作交流平台，促进人才培养和产教融合，为我国集成电路的发展创新突破贡献力量。他期待，广大校友能够发挥自身优势，积极投身集成电路产业发展，为实现国家集成电路产业发展目标贡献力量。

广东省集成电路行业协会会长陈卫在会上谈到，复旦大学一直以来都在集成电路领域起着举足轻重的作用。在半导体领域，复旦大学凭借着深厚的学科积累和优秀的实施理念取得了瞩目的成就。在基础研究、产业化应用、战略引领等方面奠定了中国半导体产业发展的基础，为全国在全球半导体领域的地位提升作出了重要的贡献，更为我们的新质生产力发展注入了新的活力。

在论坛的主题演讲环节，来自复旦大学的各位校友结合自身工作经验和行业洞察，分享了集成电路领域的前沿技术、发展趋势和创新实践，为论坛嘉宾们奉献了一场精彩的知识盛宴。

芯联集成电路制造股份有限公司执行副总裁刘煊杰发表了《进击的中国模拟半导体》的主题演讲，他首先分析了整体半导体的发展趋势，当下，全球PMI趋势回升，整体半导体迎来了复苏。与此同时，中国经济水平也同步回升，地缘政治紧张局势催生了贸易模式的双循环，具体体现在：一方面国产替代需求紧迫，另一方面海外大厂也在国内寻求合作伙伴。

芯联集成电路制造股份有限公司执行副总裁 刘煊杰

就模拟半导体这个细分领域而言，2023年，全球整体模拟IC市场规模为811亿美金，虽然较2022年下降8.9%，但是随着市场逐步回暖，据WSTS预测，2024年将3.7%的增长，至841美金。中国模拟芯片市场规模约为420亿美元，占全球模拟芯片市场规模的47%左右，并每年以5%-8%的速度增长，但是国产替代率仅为12%。

从市场应用需求上来看，刘煊杰表示，智能汽车、AI、高性能计算对模拟IC需求增长。其中汽车模拟IC是增长最快的赛道。汽车智能化和电动化趋势明显，车载模拟IC市场规模为251亿美金，占总体市场的25%，年复合增长率为8%。模拟芯片价值将从从每辆车$200增加到$500，其中主要有两大趋势动力：1）整车架构从传统的域控制器架构向新的中央计算方式演进，需要更多模拟数字芯片，满足对高算力和实时控制；2）ADAS的普及，模拟IC的集成化和数字模拟工艺提出更多要求。

AIGC火热带来A服务器需求量的爆增，更高密度数字电源管理芯片和高效的高低边驱动芯片是大算力Al数据中心的重要基础。以NVIDIA V 100为例，其多相电源配置需要8颗多相控制器和128颗DrMOS。据IDC预计，2026年全球Al服务器市场规模将达到300多亿美金，CAGR 17%，国内AI服务器市场规模在2026年将达到169亿美金，CAGR为31%。AI服务器的快速增长使得相对应的多相电源数量呈几何式增长，其中DrMoS增量最多。在价值上，AI服务器电源芯片价值为4100元，普通服务器中为400元。

在模拟半导体领域，功率半导体的发展令人关注。2022年至2026年MOSFET全球市场趋于稳定增量市场，年化复合增长率为5.5%；IGBT年化复合增长率达9.1%，SiC是巨大增量市场，年化复合增长率达34%。2030年全球SiC需求折算成6英寸晶圆为～150万片。如果看向中国功率半导体的国产化进程，2024年，中国MOSFET市场规模约达到60亿美元，国产化率约达到48.8%；中国IGBT市场规模约达到42亿美元，国产化率约达到38.2%；中国SiC市场规模约16.7亿美元，国产化率10%左右。

东电电子(上海)有限公司总裁陈捷的演讲主题为《开放·合作·共赢》。他指出，全球半导体市场突飞猛进，根据IBS预测到2030年全球半导体市场将达到1万亿美元。而在人工智能热潮带动的芯片需求增长的影响下，全球半导体市场将提前实现1万亿美元。在这样的市场背景下，国产半导体设备乘势而起。从2015年至2023年，中国本土市场对半导体设备的需求显著增加。本土供应商的市场份额逐年增加，并且新建晶圆厂的数量也在持续增加。

东电电子(上海)有限公司总裁 陈捷

根据Gartner统计，2020-2021年全球新建22座晶圆厂，其中16座在中国；2022-2024年全球新增58座晶圆厂，其中30座在中国；2025-2027年全球预计新建62座晶圆厂，其中18座在中国。这些数据表明，中国在半导体制造设备领域的本土化进程正在加速，设备需求和生产能力不断提升。

回顾半导体过往四十多年的发展历程，行业斗转星移。1986年，日本DRAM市占第一，但是当时的日美半导体贸易摩擦，以及此后纯晶圆代工厂（Foundry）和无晶圆厂（Fabless）模式的快速崛起，行业竞争激烈，致使日本半导体产业走向衰落。1985年至2020年间，日本在半导体生产设备市场的份额从80年代末的49%高峰逐渐下降到2022年的9%左右。不过亚洲在过去四十年来却一直呈现出稳步增长的发展态势。

陈捷指出，目前半导体行业正处于天时地利人和的有利时期。半导体的发展不仅契合时代需求，也符合国家政策，中国拥有后发优势，可以轻装上阵；摩尔定律正逐步走向极限，为我们提供了追赶的机会。在这样的好时代之下，企业应该致力于“服务增值、质量优先，攻坚克难、持续投入，包容开放、出海踏浪，良性竞争、合作共赢，现金为王、盈利至上，避免价格内卷、追求可持续发展。”“变革的大幕正在徐徐拉开，行业的春天已经来临。”陈捷最后总结到。

上海新微半导体有限公司总经理王庆宇作了《GaN器件从快充走向新兴应用市场》的主题报告。他首先分析了GaN材料的优势，使用GaN材料的功率器件具有禁带宽度大、高击穿场强和高迁移率的特性，相比硅，同等耐压等级下拥有更低的导通电阻，可同时涵盖射频和功率领域，特别是在高功率和高频率领域应用效果特别出色。与使用传统材料的器件相比，可以有效降低损耗、提高效率和优化变压器与充电器的体积。

上海新微半导体有限公司总经理 王庆宇

王庆宇进一步表示，GaN器件具有高频、高效率等特征。相比硅，GaN开关速度更快，在高频下运行效率更高；另外，终端应用尺寸更小，系统成本更具优势。相比SiC，硅基GaN具有成本优势。另外，采用硅衬底，具有稳定的供应链优势。

GaN可为设备提高系统效率与性能、节省内部空间，并且能够在高温环境下稳定工作，在密集型应用中渗透明显。随着技术的成熟，成本下探的GaN将迅速向各个应用领域渗透。按目前的市场分布来看，消费类领域依旧是GaN的主要“战场”。自2018年以来，用于快速充电器的硅基氮化镓芯片现日趋成为成熟的应用，尤其是在中国市场。快充领域作为当前功率氮化镓的最主要的应用领域之一，在未来数年仍具有广阔的市场空间。除快充市场外，功率氮化镓在家电、电源适配器、数据中心、新能源汽车、锂电池等领域同样具有巨大的潜在应用市场。目前，400V平台主流是IGBT，800V工艺平台开始使用SiC，硅基GaN未来可以应用到微型车、小型车。

上海新微半导体是一家先进化合物半导体晶圆代工企业，公司成立于2020年1月，位于中国（上海）自由贸易试验区临港新片区。在功率电子领域，新微半导体提供基于硅基氮化镓衬底的功率工艺解决方案。公司具备6吋非金工艺的晶圆代工能力，为客户提供高性能和低成本的40V~650V氮化镓功率器件代工服务。

上海瞻芯电子科技股份有限公司 CEO张永熙对《SiC MOSFET的设计、制造和应用—从Fabless到IDM》进行了概述，他分析指出，2018年特斯拉Model 3的首次采用，使得SiC产业开始迎来大规模发展。由于SiC材料优异的击穿场强和热传导性能，SiC MOSFET将是高压大功率应用的不二选择。

上海瞻芯电子科技股份有限公司CEO 张永熙

从SiC MOSFET技术的发展路径来看，平面型和沟槽型MOSFET开始并驾齐驱：1200V Rsp进入2~3mΩ·cm²时代；预计到2025年，这一数值将降低到2mΩ·cm²以下。沟槽型MOSFET逐步成为下一代SiC MOSFET的路线选择。栅氧化层界面态密度的控制，以及提高沟道电子迁移率和栅氧化层的可靠性，仍然是工业界研发的重点方向。

SiC MOSFET需要经历工艺和器件定义——>工艺和器件模拟——>测试结构设计——>流片验证多个关键环节。SiC芯片特殊的制造工艺需要高温离子注入、高温激活、高温栅氧化、欧姆接触/RTP、减薄、激光退火等，此外，SiC还需要进行特殊的测试，除标准可靠性测试之外，针对SiC器件独特的材料特性和电学特性，需要开展一系列More-than-JEDEC的可靠性测试：包括栅极TDDB，模拟真实运行场景的高温老化测试，带有门级尖峰的动态HTGB测试，体二极管双极退化测试。可以看出，SiC的生产，极其考验SiC芯片制造上的能力。

因此，IDM将是车用SiC芯片的最佳商业模式，这主要是因为可以实现高质量的生产管控，充足的产能保障，更快的工艺技术迭代。国产SiC MOSFET的起跑已经完成，充足的产能保证和交付能力将是第二阶段发展的决定性因素。车芯联动将是更重要的发展战略，这给了国产芯片一个同台竞技的公平竞争机会，与此同时，芯片公司要跟整车厂或者Tier1紧密合作、共同迭代出创新型产品。

东方晶源微电子科技（北京）股份有限公司CEO蒋俊海就《电子束量测检测设备国产化的突围之路》进行了探讨。他谈到，集成电路量检测设备对保证芯片加工制造过程中的良率至关重要。例如，制造过程中缺陷检测的关键设备EBI、芯片制造过程中关键尺寸的电子束量测设备CD-SEM，以及芯片制造过程中工艺缺陷检测分析的关键设备DR-SEM，它们可帮助集成电路制造厂精确检测硅片上的电性和物理缺陷并进行分析，并对芯片进行关键尺寸量测，实现关键工艺参数的监控以及对工艺改善提供准确的数据支持。

东方晶源微电子科技（北京）股份有限公司CEO 

蒋俊海

然而，目前国内电子束装备在某些领域仍存在被卡脖子的状况，对我国集成电路产业安全构成重大威胁。蒋俊海指出，电子束检测量测设备的国产化需要突破“高分辨率、高加速电压、高产能、智能化”四大关键技术难点。

围绕着四大难点，东方晶源开启了国产化的突破之路。通过自主创新突破或绕过国外厂商构建的知识产权壁垒。深入了解国内IC制造头部企业客户需求及痛点，双方紧密合作，针对国内集成电路制造需求进行技术开发攻关。面对潜在进口限制风险，及早进行国产替代方案布局，培养精密加工工艺供应商，合作共进，实现材料、加工、装调、集成全流程质量控制，搭建与培养可靠而稳定的国产供应链体系。

鸿之微科技（上海）股份有限公司董事长曹荣根介绍了《鸿之微在半导体工业软件上的努力》。他强调了在半导体产业中，从基础材料设计，到器件设计，再到工艺流程仿真，以及生产中的工艺参数控制和优化过程，工业软件在其中都发挥着重要的作用，但是这些软件目前都基本上都由国外企业提供。

鸿之微科技（上海）股份有限公司董事长 曹荣根

鸿之微作为一家专注于材料设计和工艺仿真软件开发的公司，自2014年起，稳扎稳打，从电子材料设计软件开始，十年精心打磨产品，逐渐为半导体行业提供可靠的材料设计软件nanoDCAL、器件设计和工艺流程仿真软件TCAD、HAPC和HFDC软件工具等，实现国产替代，解决卡脖子问题。

在论坛的圆桌对话环节，以“产业与资本双向奔赴，携手跨越‘毕业答辩’季”为主题，来自多家公司的高管和校友进行了精彩的讨论和分析。

上海集成电路材料研究院副总裁冯黎，担任圆桌会议主持人，圆桌对话的嘉宾包括中巨芯科技股份有限公司副总经理何永根、科意半导体设备集团全球副总裁、中国区董事长兼总经理以及求是缘半导体联盟副理事长兼秘书长徐若松、中微半导体设备（上海）股份有限公司董事会秘书兼副总经理刘晓宇、盛美半导体设备（上海）股份有限公司副总经理陈福平、天风证券股份有限公司副总裁兼研究所所长赵晓光、海复星创富投资管理股份有限公司联席董事长兼首席执行官徐欣，以及上海喆塔信息科技有限公司CEO赵文政。他们围绕与复旦大学的“缘起”、国产集成电路的“思辨”及其“预见”展开了深入探讨和分析。

在圆桌对话中，嘉宾们结合各自的丰富经验和专业视角，深入剖析了国产集成电路产业的发展现状和未来机遇。他们一致认为，产业与资本的紧密结合将是推动中国半导体行业迈向新高峰的关键。同时，嘉宾们也强调了技术创新、人才培养和国际合作的重要性，认为这些因素将共同助力中国在全球半导体产业链中占据更加重要的位置。圆桌讨论在热烈的掌声中结束，参会者纷纷表示受益匪浅，对未来的发展充满信心和期待。